栅控横向双极结/异质结晶体管

摘要

本发明涉及栅控横向双极结/异质结晶体管。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及栅控晶体管及制造方法。该结构包括：发射极区；集电极区；基极区，其位于发射极区和集电极区的相对侧；以及栅极结构，其由主体区和支脚区组成，主体区位于发射极区和集电极区的相对侧上的基极区之间，并且支脚区将基极区与发射极区和集电极区两者隔离。