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用于形成微细相分离图案的嵌段共聚物层形成用组合物

摘要

提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外,提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物,其包含嵌段共聚物和溶剂,其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构,上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物,所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元,上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构,上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1~10烷基,R3~R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1~10烷基、碳原子数1~10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)

著录项

  • 公开/公告号CN112771091A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日产化学株式会社;

    申请/专利号CN201980047679.0

  • 申请日2019-07-16

  • 分类号C08F297/02(20060101);C08F212/14(20060101);C08F220/18(20060101);C08F222/40(20060101);C08F230/08(20060101);H01L21/3065(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人李渊茹;段承恩

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 10:52:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-12

    授权

    发明专利权授予

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