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公开/公告号CN112771202A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 国立研究开发法人科学技术振兴机构;
申请/专利号CN201980062828.0
发明设计人 真岛豊;崔允永;岛田郁子;远山谅;杨铭悦;
申请日2019-08-30
分类号C23C18/44(20060101);B32B15/01(20060101);C23C18/31(20060101);
代理机构11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人石伟
地址 日本埼玉县
入库时间 2023-06-19 10:52:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-24
授权
发明专利权授予
机译: 异质轴结构及其制造方法,含有异质轴结构及其制造方法,纳米孔电极和纳米隙电极制造方法的金属层压板
机译: 使用微波等离子体器件掺杂有非均相元件的金属氧化物纳米结构的方法使用相同和光催化剂制造的金属氧化物纳米结构,所述金属氧化物纳米结构包括使用相同和光催化剂制成的包括金属氧化物纳米结构掺杂有异质元件
机译: 异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译:通过两步纳米图案化方法制造外延铁电BIFEO3纳米结构的制造
机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:固-气相合作外延:一种制造单晶绝缘体/硅/绝缘体纳米结构的方法
机译:使用新型异质外延锗硅生长方法制造的高迁移率锗pMOS
机译:由多铁性异质结构组成的自组装外延纳米结构的制造。
机译:通过直接两步CVD方法控制优质ZnO NWS / CNT和ZnO NWS / GR异质结构的制造
机译:基于外延掩模的纳米图案化工艺,用于制造具有原位界面的La0.67Sr0.33MnO3 / LaAlO3 / SrTiO3异质结构制成的电子和自旋电子器件
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。