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具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管

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摘要

一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。

公开/公告号CN112771664A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人克里公司;
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申请/专利号CN201980056498.4
发明设计人 F·特朗;母千里;H·蒋;Z·莫克提;
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申请日2019-07-18
分类号H01L23/482(20060101);H01L23/00(20060101);H01L29/06(20060101);H01L23/522(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人於菪珉
地址美国北卡罗莱纳
入库时间 2023-06-19 10:52:42

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-07

著录事项变更 IPC(主分类):H01L23/482 专利申请号:2019800564984 变更事项:申请人变更前:克里公司变更后:沃孚半导体公司变更事项:地址变更前:美国北卡罗莱纳变更后:美国北卡罗莱纳

著录事项变更

1. 具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管 [P] . 中国专利： CN112771664A . 2021-05-07
2. 一种具有输入电流补偿电路的双极型晶体管放大器 [P] . 中国专利： CN206671935U . 2017-11-24
3. Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having gaps and/or isolation structures between groups of unit cell transistors [P] . 美国专利： US10600746B2 . 2020-03-24

机译：射频晶体管放大器和其他多单元晶体管在单位单元晶体管组之间具有间隙和/或隔离结构
4. Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures [P] . 美国专利： US10615135B2 . 2020-04-07

机译：具有隔离结构的射频晶体管放大器和其他多单元晶体管
5. RADIO FREQUENCY TRANSISTOR AMPLIFIERS AND OTHER MULTI-CELL TRANSISTORS HAVING ISOLATION STRUCTURES [P] . EP3824496A2 . 2021-05-26

机译：射频晶体管放大器和具有隔离结构的其他多电池晶体管