具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元

摘要

本发明涉及一种具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元。在一些实施方式中，一种多电平一次性可编程存储单元包括：顶电极；底电极；以及设于所述顶电极和底电极之间的多个介电层，其中，满足至少以下一个条件：至少两个介电层为不同的介电材料；该多电平一次性可编程存储单元包括至少一个金属层，其中，每一个金属层均设置于两个介电层之间。