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基于非晶锗热电阻的柔性MEMS流速传感器

摘要

一种基于非晶锗热电阻的柔性MEMS流速传感器,包括:由下而上依次设置的柔性衬底、支撑膜、绝缘保护层、位于隔热空腔之上支撑膜和绝缘保护层之间的悬空膜加热热电阻和悬空膜测温热电阻对以及位于隔热空腔外柔性衬底之上支撑膜和绝缘保护层之间、用于测量环境流体温度的变化的衬底测温热电阻对,支撑膜部分悬空设置于柔性衬底上,支撑膜和绝缘保护层相连,悬空膜加热热电阻、悬空膜测温热电阻对和衬底测温热电阻对分别通过对应的引线和引脚与外界相连。本发明采用非晶锗半导体热阻材料,结构简单,可实现宽量程的流速测量(为10‑2~102m/s)和测向,且工作时热电阻工作温度与流体温度之间只需保持较低的恒温差,因此功耗较低。

著录项

  • 公开/公告号CN112730886A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN202011516301.1

  • 申请日2020-12-21

  • 分类号G01P5/12(20060101);G01F1/68(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王毓理;王锡麟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-06-19 10:48:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-20

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01P 5/12 专利申请号:2020115163011 申请公布日:20210430

    发明专利申请公布后的驳回

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