法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-20
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01P 5/12 专利申请号:2020115163011 申请公布日:20210430
发明专利申请公布后的驳回
机译: 晶圆级单片CMOS集成在密封腔中基于自由和非自由的基于金属和金属合金的MEMS结构
机译: 晶圆级单片CMOS集成,在密封腔中集成基于自由和非自由的基于金属和金属合金的MEMS结构
机译: 基于淹没在二氧化HA中的锗纳米晶的非挥发性记忆电容矩阵及其制造方法