碳化硅PNPN晶闸管注入型IGBT器件

摘要

本发明所述碳化硅PNPN晶闸管注入型IGBT器件及其制备方法，在N型掺杂电场截止层与P+型集电层之间设有P型浮置层和N型层，形成的PNP集电极结构作为少数载流子源，向N‑型掺杂漂移区提供空穴，N型掺杂电场截止层、P型浮置层和N型层组成寄生NPN晶体管，且PNP集电极结构和寄生NPN晶体管形成了PNPN晶闸管结构，进而通过增加或降低P型浮置层的掺杂浓度来增加或降低电导调制效应，从而加速开关时间和降低开关损耗，且在透明P型集电极掺杂设计中，显著降低了其与集电极金属之间欧姆接触的制造难度。