首页> 外文期刊>IEEE Photonics Technology Letters >Waveguide-type PnpN optical thyristor operating at 1.55 /spl mu/m
【24h】

Waveguide-type PnpN optical thyristor operating at 1.55 /spl mu/m

机译:波导型PnpN光学晶闸管,工作频率为1.55 / spl mu / m

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Waveguide-type PnpN depleted optical thyristors operating at 1.55 /spl mu/m are proposed and fabricated for the first time. In the optical thyristors, we employ InGaAs-InP multiple quantum-well (MQW) and InGaAsP bulk layers for the active n- and p-layers. The thyristors show sufficient nonlinear s-shape I-V characteristics and spontaneous emission along the waveguide. Very low switching voltages of 2.1 and 2.0 (V) for bulk and MQW thyristors with L=300 /spl mu/m and 350 /spl mu/m respectively are measured.
机译:首次提出并制造了工作在1.55 / spl mu / m的波导型PnpN耗尽型光学晶闸管。在光学晶闸管中,我们将InGaAs-InP多层量子阱(MQW)和InGaAsP体层用于有源n层和p层。晶闸管显示出足够的非线性s形I-V特性,并沿波导自发发射。对于分别为L = 300 / spl mu / m和350 / spl mu / m的块状和MQW晶闸管,测量到非常低的2.1和2.0(V)开关电压。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号