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一种利用低温形核合成超细银纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种利用低温形核合成超细银纳米线的方法,它利用低温成核,不需要严苛的成核控制条件,可以较好地实现对晶种尺寸大小的控制,有利于进行超细银纳米线的放大合成,即在室温下,先将聚乙烯吡咯烷酮溶解于乙二醇中,接着加入溶解有氯化钠的乙二醇溶液,然后加入含有醛基物质,最后再加入硝酸银,持续搅拌,得混合溶液,在将混合溶液升温至成核温度后停留一定时间,然后继续升温至反应温度进行反应,反应结束后急速冷却得到含超细银纳米线的原液,合成的银纳米线直径在20~30nm,具有可有效降低银纳米线的直径,合成方法简洁,不需要严苛反应条件,不引入难处理物质,可工业化应用等优点,适于银加工领域应用。

著录项

  • 公开/公告号CN112705725A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011495513.6

  • 发明设计人 衷水平;唐定;沈青峰;朱莞烨;

    申请日2020-12-17

  • 分类号B22F9/24(20060101);B22F1/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人林祥成

  • 地址 364200 福建省龙岩市上杭县紫金路1号紫金大楼

  • 入库时间 2023-06-19 10:46:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    授权

    发明专利权授予

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