工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法

摘要

本发明揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路元件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个屏蔽层，所述一或多个屏蔽层经形成在所述底部衬底与所述顶部衬底之间。在实施例中，所述一或多个屏蔽层经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

说明书

本申请案依据35U.S.C.§119(e)要求2018年9月6日申请的、指定费尔哈特A.考利(Farhat A.Quli)、安德鲁·阮(Andrew Nguyen)及詹姆斯·理查德·贝拉(James RichardBella)为发明人的标题为“工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法(PROCESS TEMPERATURE MEASUREMENT DEVICE FABRICATION TECHNIQUES AND METHODS OFCALIBRATION AND DATA INTERPOLATION OF THE SAME)”的第62/727,633号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及沿半导体工艺线监测晶片，且特定来说，涉及一种用于工艺条件测量晶片组合件的系统及方法。

背景技术

随着半导体装置处理环境中的工艺条件的公差不断缩小，对改进工艺监测系统的需求也不断增加。处理系统内的热均匀性是一种此条件。当前方法无法监测当前处理技术所要的极端条件下的温度(例如，高温)而不污染相关联室。一种监测工艺条件的先前方法涉及使用工艺条件测量晶片。常规工艺条件测量晶片可包含测量及记录工艺条件(例如温度)的无线数据采集系统。然而，常规工艺条件测量晶片通常经受可归于内部构造变动的温度不准确性，且可能无法承受当前及未来处理系统(例如，外延室、等离子体蚀刻室)的能量通量。因此，将期望提供一种允许使用仪器化晶片进行高温测量以监测半导体装置处理线的条件的系统及方法。

发明内容

揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路组件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个屏蔽层，所述一或多个屏蔽层经形成在所述底部衬底与所述顶部衬底之间。在实施例中，所述一或多个屏蔽层经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个印刷电路组件上且经内插在所述顶部衬底与所述底部衬底之间。在另一实施例中，所述底部衬底或所述顶部衬底中的至少一者经配置以电磁屏蔽所述一或多个电子组件且跨所述底部衬底及所述顶部衬底扩散电压电势。

揭示一种方法。在实施例中，所述方法可包含：在等温条件下，从跨工艺条件测量晶片分布的一组温度传感器获取一组温度测量值且从跨工艺条件测量晶片分布的一组热通量传感器获取一组热通量测量值；校正在等温条件下获取的所述一组温度测量值及所述一组热通量测量值；将已知热通量应用于所述工艺条件测量晶片；在应用所述已知热通量期间，从所述一组温度传感器获取一组额外温度测量值且从所述一组热通量传感器获取一组额外热通量测量值；在应用所述已知热通量期间识别跨所述一组温度传感器观察到的温度变动；通过将所述已知热通量与所述一组温度传感器的所述经识别温度变动相关来识别热通量-温度变动关系；在未知热通量条件下，从所述一组温度传感器获取一组测试温度测量值且从所述热通量传感器获取一组测试热通量测量值；及基于所述一组测试热通量测量值及所述经识别的热通量-温度变动关系调整所述一组测试温度测量值。

应理解，前文概述及下文详细描述两者仅是示范性及解释性的且未必限制所主张发明。并入说明书中并构成说明书的一部分的附图说明本发明的实施例且连同概述一起用来解释本发明的原理。

附图说明

参考附图，所属领域的技术人员可更好地理解本发明的众多优点，在附图中：

图1A是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图1B是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的一部分的简化截面视图。

图1C是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的一部分的简化截面视图。

图1D是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的一部分的简化截面视图。

图1E是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的一部分的简化截面视图。

图1F是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的一部分的简化截面视图。

图2A是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图2B是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图3是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图4A是根据本发明的一或多个实施例的通信地耦合到远程数据系统的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图4B是根据本发明的一或多个实施例的通信地耦合到远程数据系统的工艺条件测量晶片组合件的简化框图视图。

图5是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件的简化截面视图。

图6是根据本发明的一或多个实施例的用于计算跨工艺条件测量晶片组合件的温度的方法的流程图。

具体实施方式

现将详细参考附图中说明的所揭示目标物。

大体上参考图1A到5，展示及描述根据本发明的一或多个实施例的用于工艺条件测量晶片组合件的系统及方法。

常规工艺条件测量晶片包含安置在硅晶片之间的测量电子器件。硅晶片经设计以屏蔽测量电子器件使其免受处理室内的极端条件(例如，高RF、高热通量、高电磁辐射)影响。这些常规工艺条件测量晶片内的硅晶片通常经由相应硅晶片之间的一或多个离散欧姆接触件耦合。然而，这些欧姆接触件导致所述接触件内及周围的高电流密度，且可能导致跨工艺条件测量晶片的高电势。另外，常规工艺条件测量晶片的复杂内部构造可能归因于晶片本身的内部构造而进一步导致温度不准确性。

据此，本发明的实施例涉及一种解决上文识别的先前方法的一或多个缺点的系统及方法。本发明的实施例涉及一种改进基于晶片的工艺条件测量装置的准确性、精度及构造的工艺条件测量晶片组合件。本发明的额外实施例涉及一种包含安置在顶部衬底与底部衬底之间的一或多个电磁屏蔽层的工艺条件测量晶片组合件。本发明的进一步实施例涉及一种包含经配置以促进遍及设备的热传递的一或多个热柱的工艺条件测量晶片组合件。

本发明的实施例涉及一种能够在高温(例如，600℃到800℃)下操作的工艺条件测量晶片组合件。此工艺条件测量晶片组合件可与在高温下操作的半导体处理室(例如，外延室、等离子体蚀刻室)一起使用。在一些实施例中，本发明的工艺条件测量晶片组合件包含顶部衬底、底部衬底及一或多个屏蔽层，借此板载电子组件(例如，传感器、处理器、存储器、电力供应器)及/或其它灵敏装置经内插在顶部衬底与底部衬底之间，且由一或多个屏蔽层屏蔽。在2016年9月27日申请的第15/277,753号美国专利申请案中描述仪器化衬底的使用，所述申请案的全部内容以引用方式并入本文中。在2016年5月1日申请的标题为“具有屏蔽的工艺状态测量装置(PROCESS CONDITION MEASURING DEVICE WITH SHIELDING)”的第7,540,188B2号美国专利及2016年9月27日申请的标题为“用于获取高温工艺应用中的测量参数的囊封仪器化衬底设备(ENCAPSULATED INSTRUMENTED SUBSTRATE APPARATUS FORACQUIRING MEASUREMENT PARAMETERS IN HIGH TEMPERATURE PROCESS APPLICATIONS)”的第15/277,792号美国专利申请案中进一步详细描述仪器化衬底，两者的全部内容以引用的方式并入本文中。

图1A是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。工艺条件测量晶片组合件100可包含但不限于顶部衬底104及底部衬底102。工艺条件测量晶片组合件100可包含一或多个电子组件106。

如图1A中所展示，顶部衬底104可机械地耦合到底部衬底102。工艺条件测量晶片组合件100的顶部衬底104及/或底部衬底102可包含此项技术中已知的任何衬底。在一些实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的顶部衬底104及/或底部衬底102可包含晶片。例如，顶部衬底104及/或底部衬底102可包含但不限于半导体衬底、玻璃晶片(例如，熔融石英玻璃晶片、硼硅酸盐玻璃晶片)、结晶晶片(例如，结晶石英晶片、硅晶片)、由一或多种化合物(例如，碳化硅、氮化硅)形成的晶片及类似者。例如，工艺条件测量晶片组合件100可包含在半导体处理环境中致使可忽略污染的任何衬底，例如但不限于由硅、碳化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、锗、镓、铟或二氧化硅(例如，石英)中的一或多者形成的晶片。

在一个实施例中，工艺条件测量晶片组合件100可包含顶部衬底104与底部衬底102之间的一或多个腔107。例如，如图1A中所展示，工艺条件测量晶片组合件100可包含底部衬底102内的腔107。本文中应注意，工艺条件测量晶片组合件100可包含顶部衬底104及/或底部衬底102内的一或多个腔107。例如，腔107可包含顶部衬底104内的腔107的一部分，及底部衬底102内的腔107的一部分。

在另一实施例中，一或多个电子组件106可经内插在顶部衬底104与底部衬底102之间。例如，如图1A中所展示，一或多个电子组件106可经安置在一或多个腔107内。在实施例中，一或多个电子组件106经安置在顶部衬底104与底部衬底102之间，使得一或多个电子组件106经密封(例如，气密密封)在顶部衬底104与底部衬底102之间。一或多个电子组件106可包含经配置以监测工艺系统(例如，外延室、等离子体蚀刻室)内的工艺条件的任何电子组件。就此来说，一或多个电子组件106可包含此项技术已知的任何电子组件，包含但不限于传感器装置(例如，温度传感器、压力传感器、化学传感器、辐射传感器、热通量传感器、电压传感器)、电源、一或多个处理器、存储器、通信电路及类似者。

在一些实施例中，多个电子组件106可在工艺条件测量晶片组合件100内彼此通信地耦合。在另一实施例中，一或多个电子组件106可经安置在一或多个印刷电路组件105上，经内插在顶部衬底104与底部衬底102之间。就此来说，一或多个电子组件106可经由一或多个印刷电路组件105通信地耦合。一或多个印刷电路组件105可包含此项技术已知的任何电子组件，包含但不限于印刷电路板、印刷布线板及类似者。类似地，一或多个印刷电路组件105可由此项技术已知的任何材料形成，包含但不限于陶瓷、硅、无机材料及类似者。

图1B是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的一部分的简化截面视图。

如本文中先前所述，顶部衬底104及底部衬底102可彼此机械地耦合。在一些实施例中，工艺条件测量晶片组合件100可进一步包含一或多个屏蔽层108。一或多个屏蔽层108可经形成在顶部衬底104与底部衬底102之间。例如，一或多个屏蔽层108可包含安置/沉积在顶部衬底104及/或底部衬底102的表面上的一或多个膜。例如，如图1B中所展示，一或多个屏蔽层108可跨底部衬底102的上表面的至少一部分及/或跨顶部衬底104的下表面的至少一部分安置。

本文中预期，一或多个屏蔽层108可包含此项技术已知的经配置以电磁屏蔽一或多个电子组件106及/或跨顶部衬底104及/或底部衬底102扩散电压电势的任何层/膜。在一些实施例中，一或多个屏蔽层108可由导电材料形成。在额外及/或替代实施例中，一或多个屏蔽层108可包含光阻挡膜。就此来说，一或多个屏蔽层108可包含一或多个不透明膜。例如，一或多个屏蔽层108可包含但不限于吸收穿越顶部衬底104到底部衬底102的辐射的材料。

参考图1C到1F可进一步理解一或多个屏蔽层108。

图1C是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的一部分的简化截面视图。如图1C中所展示，一或多个屏蔽层108可包含但不限于粘合剂层110及多个导电颗粒112。

在一些实施例中，形成在顶部衬底104的至少一部分与底部衬底102的至少一部分之间的屏蔽层108可包含粘合剂层110。粘合剂层110可由此项技术已知的经配置以机械地耦合衬底的任何粘合剂材料形成。在另一实施例中，屏蔽层108可包含悬浮在粘合剂层110内的导电颗粒112。例如，如图1C中所展示，屏蔽层108可包含悬浮在粘合剂层110内的多个导电颗粒112。在一些实施例中，导电颗粒112可均匀地分布遍及粘合剂层110。在实施例中，导电颗粒112包含在屏蔽层108内可在顶部衬底104的至少一部分与底部衬底102的至少一部分之间产生电接触。据此，导电颗粒112可使用此项技术中已知的任何导电材料来形成。类似地，粘合剂层110可由导电材料形成以便进一步促进顶部衬底104与底部衬底102之间的电接触。

本文中预期，导电颗粒112包含在屏蔽层108内可在顶部衬底104与底部衬底102之间及/或在沉积在这些相应衬底上的导电层之间产生电接触。这些电接触可促进遍及工艺条件测量晶片组合件100及/或在顶部衬底104与底部衬底102之间扩散电压电势。此外，这些电接触及导电颗粒/层可为工艺条件测量晶片组合件100的电子组件106提供电屏蔽及电磁屏蔽。

图1D是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的一部分的简化截面视图。如图1D中所展示，一或多个屏蔽层108可包含但不限于粘合剂层110及多个导电导电结构114。

在额外及/或替代实施例中，可通过使用导电导电结构114来促进顶部衬底104的部分与底部衬底102的部分之间的电接触。例如，如图1D中所展示，多个导电结构114可经制造在顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者的表面上，使得导电结构114电耦合顶部衬底104的至少一部分及底部衬底102的至少一部分。多个导电结构114可包含任何形状或类型的此项技术已知的导电结构。例如，多个导电结构114可包含形成在顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者的表面上的多个突起。作为另一实例，多个导电结构114可包含形成在顶部衬底104的表面及/或底部衬底102的表面上的多个圆锥区段(例如，锥体)及/或凸块。多个导电结构114可使用此项技术中已知的任何材料形成，包含但不限于一或多种导电金属。

多个导电导电结构114可使用此项技术中已知的任何技术形成/制造在顶部衬底104及/或底部衬底102的表面上。例如，导电结构114可通过电镀工艺或引线接合凸块工艺沉积到顶部衬底104及/或底部衬底102的表面上。在另一实施例中，粘合剂层110可经形成在多个导电结构114周围。

图1E是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的一部分的简化截面视图。

在一个实施例中，一或多个屏蔽层108经由直接晶片到晶片接合形成。例如，如图1E中所展示，一或多个屏蔽层108可经由无粘合剂硅到硅接合形成在顶部衬底104与底部衬底102之间。在一些实施例中，顶部衬底104及/或底部衬底102可充当一或多个屏蔽层108。因此，顶部衬底104及/或底部衬底102可经配置为一或多个屏蔽层108。就此来说，除一或多个屏蔽层108以外或代替一或多个屏蔽层108，顶部衬底104及/或底部衬底102也可用来电磁屏蔽一或多个电子组件106且扩散电压电势。例如，如图1E中所展示，直接接合到底部衬底102的顶部衬底104可包含掺杂硅衬底，使得顶部衬底104充当屏蔽层108。

本文中预期，可在其中一或多个中间膜116经内插于顶部衬底104与底部衬底102之间的情况下实行经由直接晶片到晶片接合(例如，硅到硅接合)形成屏蔽层108。

在一些实施例中，如图1F中所展示，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个屏蔽层108包含一或多个中间膜116及一或多个金属接触件118。本文中预期，顶部衬底104与底部衬底102之间的电耦合可用离散位置处的直接金属到金属热压接合进一步促进以便改进导电性。据此，可通过在无粘合剂硅到硅接合内包含一或多个额外金属接触件118来改进导电性。例如，如图1F中所展示，内插于顶部衬底104与底部衬底102之间的一或多个中间膜116可包含多个金属接触件118。作为另一实例，一或多个中间膜116可包含一或多个金属膜层以便改进顶部衬底104与底部衬底102之间的电耦合。

在额外及/或替代实施例中，一或多个屏蔽层108可包含经由瞬态液相接合工艺沉积在顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者上的一或多个膜。例如，沉积在顶部衬底104及底部衬底102的表面上的金属膜可彼此反应以形成合金以便形成一或多个屏蔽层108且接合顶部衬底104及底部衬底102。

图2A是工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。工艺条件测量晶片组合件100可包含但不限于顶部衬底104、底部衬底102、一或多个电子组件106、一或多个印刷电路组件105及一或多个层208。本文中应注意，一或多个层208可包含本文中先前关于图1B到1F所论述的一或多个粘合剂层及/或一或多个屏蔽层108。

如本文中先前所述，与常规工艺条件测量晶片相关联的一个问题是不良热管理及热积累，此可能导致电子组件、粘合剂层或两者的故障。例如，如图2A中所展示，工艺条件测量晶片组合件100可暴露在高热通量202。虽然有效导热通路可存在于衬底104及底部衬底102的直接耦合件之间，但导热通路可在其中电子组件106及/或印刷电路组件105经内插在顶部衬底104与底部衬底102之间的位置上大体上缩减。这些缩减的导热通路因此可能导致高温区域203及热积累，如图2A中所展示。

据此，本发明的一些实施例涉及一种工艺条件测量晶片组合件100，其具有改进热管理构造以便改进工艺条件测量晶片组合件100的热稳健性。此可参考图2B来进一步理解。

图2B是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。

在一些实施例中，工艺条件测量晶片组合件100可包含一或多个热柱结构206a、206b，所述一或多个热柱结构206a、206b经配置以促进顶部衬底104的至少一部分与底部衬底102的至少一部分之间的有效导热通路。例如，一或多个热柱结构206a、206b可经加工到顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者中。作为另一实例，一或多个热柱结构206a、206b可经金属电镀到顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者上。在实施例中，一或多个印刷电路组件105可包含经配置以接纳一或多个柱结构206a、206b的一或多个端口、孔或孔径。据此，一或多个柱结构206a、206b可经配置以产生从顶部衬底104通过印刷电路组件105内的一或多个端口(例如，孔、孔径或类似者)到底部衬底102的有效导热通路。一或多个柱结构206a、206b可由此项技术已知的任何材料形成，包含但不限于半导体材料、金属材料或类似者。例如，一或多个柱结构106a，206b可包含硅柱、导电金属柱及类似者。

图3是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。工艺条件测量晶片组合件100可包含但不限于顶部衬底104、底部衬底102、一或多个电子组件106、一或多个印刷电路组件105及一或多个层208。本文中应注意，一或多个层208可包含本文中先前关于图1B到1F所论述的一或多个粘合剂层及/或一或多个屏蔽层108。

在一个实施例中，一或多个印刷电路组件105可经耦合到顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者。例如，一或多个印刷电路组件105可经硬焊及/或直接接合到顶部衬底104或底部衬底102中的至少一者。例如，如本文中先前所述，无机印刷电路组件105可直接接合到底部衬底102。本文中应注意，将一或多个印刷电路组件105直接接合到顶部衬底104及/或底部衬底可改进工艺条件测量晶片组合件100的导热性及热管理。

图4A是根据本发明的一或多个实施例的通信地耦合到远程数据系统402的工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。图4B是根据本发明的一或多个实施例的通信地耦合到远程数据系统的工艺条件测量晶片组合件的简化框图视图。

在一些实施例中，如本文中先前所述，工艺条件测量晶片组合件100包含一或多个电子组件106，所述一或多个电子组件106可包含一或多个传感器。在另一实施例中，一或多个电子组件106可经安置在跨印刷电路组件105的一或多个位置处且经由一或多个有线及/或无线连接彼此通信地耦合。一或多个电子组件106可包含但不限于通信电路410、一或多个处理器412、存储器414、一或多个传感器416及电力供应器418。在一些实施例中，电力供应器418可包含此项技术已知的任何电源，包含但不限于电池、无线可充电电池及类似者。

出于本发明的目的，术语“处理器”可广义地被定义为涵盖具有执行来自内部或外部存储器414的指令的一或多个处理器(例如，CPU)或逻辑组件(例如，ASIC)的任何装置。在此意义上，一或多个处理器412可包含经配置以执行算法及/或指令的任何微处理器型或逻辑装置。应认知，贯穿本发明所描述的步骤可由单个处理器412或替代地多个处理器412执行。存储器414可包含只读存储器、随机存取存储器、固态驱动器、快闪存储器、EPROM、EEPROM及类似者。

在实施例中，一或多个处理器412经配置以执行存储在存储器414中的程序指令集，所述程序指令集经配置以致使一或多个处理器412实行本发明的各种步骤/功能。例如，一或多个处理器412可经配置以：产生经配置以致使一或多个传感器416获取一或多个测量参数的一或多个控制信号；将经获取的测量参数存储在存储器414中；基于一或多个测量参数计算一或多个值；及经由通信电路410将一或多个测量参数及/或一或多个经确定值传输到远程数据系统402。本文中将阐述这些步骤中的每一者。

在一个实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个处理器412经配置以产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使一或多个传感器416获取一或多个测量参数。就此来说，定位在工艺条件测量晶片组合件100/印刷电路组件105内的一或多个位置处的一或多个传感器416可经配置以获取一或多个测量参数(例如，热电偶电压、来自电阻温度装置的电阻、来自压力传感器的电压/信号、来自辐射传感器的电压/信号、来自化学传感器的电压/信号及类似者)。本文中应注意，一或多个传感器416可经配置以获取与待遍及处理系统监测的任何参数或特性相关联的测量参数(例如，温度、热通量、压力及类似者)。

应注意，一或多个传感器416可经形成为具有任何形状且以任何方式跨工艺条件测量晶片组合件100(例如，跨底部衬底102)分布。就此来说，一或多个传感器416可选择性地跨工艺条件测量晶片组合件100分布以便获取与每一传感器416相关联的选定位置中的测量参数。本文中进一步预期，一或多个传感器416可包含离散传感器装置，及/或可经集成到顶部衬底104及/或底部衬底102中。

进一步应注意，一或多个传感器416可包含此项技术中已知的任何测量装置。例如，一或多个传感器416可包含但不限于热/温度传感器、压力传感器、辐射传感器、化学传感器、电压传感器、热通量传感器及类似者。例如，在温度测量的情况下，一或多个传感器416可包含但不限于一或多个热电偶(TC)装置(例如，热电结)或一或多个电阻温度装置(RTD)(例如，薄膜RTD)。在另一例子中，在压力测量的情况下，一或多个传感器416可包含但不限于压电传感器、电容式传感器、光学传感器、电势滴定传感器及类似者。在另一例子中，在辐射测量的情况下，一或多个传感器416可包含但不限于一或多个光检测器(例如，光伏打电池、光敏电阻器及类似者)或其它辐射检测器(例如，固态检测器)。在另一例子中，在化学传感器的情况下，一或多个传感器416可包含但不限于一或多个化敏电阻器、气体传感器、pH传感器及类似者。

在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个处理器412经配置以将经获取的测量参数存储在存储器414中。

在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个处理器412经配置以基于一或多个经获取的测量参数计算一或多个值。一或多个处理器412可经配置以基于经获取的测量参数计算此项技术中已知的任何值。例如，在温度的情况下，一或多个传感器416可经配置以获取指示温度的热电偶电压(测量参数)，且一或多个处理器412可经配置以基于热电偶电压计算温度。

在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个处理器412经配置以经由通信电路410将一或多个测量参数及/或一或多个经确定值传输到远程数据系统402。就此来说，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个电子组件106可经由通信电路410通信地耦合到远程数据系统402。工艺条件测量晶片组合件100的一或多个电子组件106可使用此项技术中已知的任何有线或无线通信协议通信地耦合到远程数据系统402。

在实施例中，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个电子组件106可无线通信地耦合到远程数据系统402。一或多个电子组件106可以任何合适方式无线通信地耦合到远程数据系统402。通信电路410可包含通信领域中已知的任何通信电路及/或通信装置。例如，通信电路410可包含但不限于一或多个通信天线(例如，通信线圈)。

在一个实施例中，通信电路410经配置以在工艺条件测量晶片组合件100与衬底外远程数据系统402之间建立通信链路。此外，通信电路410可通信地耦合到一或多个处理器412、存储器414、一或多个传感器416及电力供应器418。就此来说，一或多个处理器412可经配置以产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使通信电路410将一或多个测量参数及/或一或多个经确定值传输到远程数据系统402。

在一个实施例中，远程数据系统402包含适于在衬底上通信电路410与远程数据系统402之间建立通信链路的通信电路404。例如，通信电路404可使用射频(RF)信号、3G、4G、4G LTE、5G、WiFi协议、蓝牙协议及类似者在衬底上通信电路410与远程数据系统402之间建立通信链路。

如本文中先前所论述，工艺条件测量晶片组合件100的一或多个处理器412可经配置以确定与经获取的测量参数相关联的值。在额外及/或替代实施例中，与经获取的测量参数相关联的值可由远程数据系统402的一或多个处理器420确定/计算。例如，通信电路410可将经获取的测量参数传输到远程数据系统402，且远程数据系统402的一或多个处理器420可基于由传感器416获取的经获取测量参数计算一或多个值。

在另一实施例中，远程数据系统402可经配置以基于由传感器416获取的一或多个测量参数映射(或关联)由处理器412及/或远程数据系统402计算的一或多个值。远程数据系统402可经配置以将一或多个值映射到(或与其相关)工艺条件测量晶片组合件100上的获取位置(例如，“测量位置”)。在另一实施例中，远程数据系统402将经映射值报告到用户接口。例如，远程数据系统402可将经映射值报告到桌面计算机、膝上型计算机、平板计算机、手持型装置、存储器或服务器中的一或多者。

如本文中先前所述，一些常规工艺条件测量晶片通常经受可归于内部构造变动的温度不准确性。例如，对于常规工艺条件测量晶片，可在跨晶片的65个谨慎位置处收集温度读数(例如，测量参数)。当这些经获取的温度读数经显示在2-D映射图中时，可简单地在传感器位置/测量位置之间内插晶片的温度。取决于常规工艺条件测量晶片内的温度非均匀性的源及量值(例如，卡盘温度、热通量、晶片冷却)，经内插温度的准确性可能变动，从而导致不准确的温度测量值。

据此，本发明的一些实施例涉及工艺条件测量晶片组合件100及用于通过校正传导变动来改进温度读数的准确性的技术。此可参考图5来进一步理解。

图5是根据本发明的一或多个实施例的工艺条件测量晶片组合件100的简化截面视图。

如图5中所展示，安置在第一印刷电路组件105a上的第一电子组件106a(例如，第一传感器416a)可经安置在顶部衬底104与底部衬底102之间的第一腔107a内。类似地，安置在第二印刷电路组件105b上的第二电子组件106b(例如，第二传感器416b)可经安置在顶部衬底104与底部衬底102之间的第二腔107b内。比较腔107a、107b与电子组件106a、106b的相对布置，可见第一腔107a大于第二腔107b。就此来说，第一电子组件106a进一步从底部衬底102移除/与底部衬底102隔开，且因此与第二电子组件106b相较，通过更大热电阻进一步与底部衬底102分离。

在完美等温环境中，第一电子组件106a(例如，第一传感器416a)及第二电子组件106a(例如，第二传感器416b)将获取相同温度测量值(例如，测量参数)。然而，制造工艺通常不在完美等温环境中实行。在制造工艺(例如，蚀刻工艺)期间，可冷却底部衬底102同时将热通量202应用到顶部衬底102。在此情况下，第一传感器416a的读数将高于第二传感器416b，因为其进一步从经冷却底部衬底102移除，且因此与冷却更加分离。

因此，可见构造变动(例如，腔107a、107b的不同尺寸)可能导致经获取的测量参数的误差/差异。可能导致经获取的测量参数及/或经计算值之间的差异的其它构造变动可包含但不限于电子组件106的尺寸/形状的变动、到不同表面的粘合(例如，到顶部衬底104的耦合、到底部衬底102的耦合)、粘合剂及/或导电性质的变动及类似者。此外，随着温度梯度及热通量202变得变大，这些构造变动可能导致经获取的测量参数及/或经计算值之间的差异增大。

据此，本发明的一些实施例涉及量化及校正构造变动对经获取的测量参数及/或经计算值的效应。通过量化构造变动对经获取的测量参数的效应及校正(例如，移除)经确定效应，本发明的系统及方法可实现更有效且准确的工艺监测。

在实施例中，远程数据系统402的一或多个处理器420经配置以执行存储在存储器422中的程序指令集，所述程序指令集经配置以致使一或多个处理器420实行本发明的各种步骤/功能。例如，一或多个处理器420可经配置以：在等温条件下，从来自跨工艺条件测量晶片组合件100分布的一组温度传感器获取一组温度测量值且从来自跨工艺条件测量晶片组合件100分布的一组热通量传感器获取一组热通量测量值；校正在等温条件下获取的所述一组温度测量值及所述一组热通量测量值；将已知热通量应用到工艺条件测量晶片组合件100；在应用已知热通量期间，从所述一组温度传感器获取一组额外温度测量值且从所述一组热通量传感器获取一组额外热通量测量值；识别在应用已知热通量期间跨所述一组温度传感器观察到的温度变动；通过将已知热通量与所述一组温度传感器的经识别温度变动相关来识别热通量-温度变动关系；在未知热通量条件下，从所述一组温度传感器获取一组测试温度测量值且从所述热通量传感器获取一组测试热通量测量值；及基于所述一组测试热通量测量值及经确定的热通量-温度变动关系调整所述一组测试温度测量值。本文中进一步详细阐述这些步骤/功能中的每一者。

在一个实施例中，处理器420可经配置以在等温条件下，从跨工艺条件测量晶片组合件100分布的一组温度传感器416获取一组温度测量值且从跨工艺条件测量晶片组合件100分布的一组热通量传感器416获取一组热通量测量值。例如，工艺条件测量晶片组合件100可经制造为包含分布在遍及工艺条件测量晶片组合件100的不同位置处的多个温度传感器416及多个热通量传感器416。在等温条件下，多个温度传感器416及多个热通量传感器416可经配置以分别获取一组温度测量值及一组热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量值。

在另一实施例中，处理器420可经配置以校正在等温条件下获取的一组温度测量值及一组热通量测量值。例如，处理器420可经配置以将在等温条件下获取的测量值设置为基线，可涉及所述基线比较及/或调整后续测量。

在另一实施例中，处理器420可经配置以产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使热源将已知热通量应用到工艺条件测量晶片组合件100。例如，在处理环境中，处理器420可通信地耦合到一或多个热源(未展示)。处理器420可经配置以产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使一或多个热源将已知热通量应用到工艺条件测量晶片组合件100。与已知热通量相关联的参数/特性可经存储在存储器422中且由处理器420检索。

在另一实施例中，处理器420可经配置以在应用已知热通量期间，从所述一组温度传感器416获取一组额外温度测量值且从所述一组热通量传感器416获取一组额外热通量测量值。例如，在应用已知热通量期间，多个温度传感器416及多个热通量传感器416可经配置以分别获取一组额外温度测量值及一组额外热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量。处理器420可经配置以将经获取测量存储在存储器422中。

在另一实施例中，处理器420可经配置以识别在应用已知热通量期间跨所述一组温度传感器观察到的一或多个温度变动。例如，如本文中先前关于图5所述，构造变动(例如，腔107a、107b的不同尺寸、电子组件106的尺寸/形状的变动、到不同表面的粘合、粘合剂及/或导电性质的变动及类似者)可致使第一温度传感器416a与额外温度传感器416b相较，获取不同读数。就此来说，处理器420可经配置以识别在应用已知热通量期间跨所述一组温度传感器416观察到的一或多个温度变动。

在另一实施例中，处理器420可经配置以通过将已知热通量与所述一组温度传感器416的经识别温度变动相关来识别热通量-温度变动关系。例如，处理器420可经配置以将已知热通量与经识别温度变动相关联以便识别热通量-温度变动关系。本文中预期，经识别的热通量-温度变动关系可采用此项技术中已知的任何形式，包含但不限于由(若干)数学方程式表示的关系、相关联热通量值及相关温度变动值的列表、及类似者。

为了更彻底地对热通量-温度变动关系进行建模，处理器420可经配置以在多个等温条件下收集读数，及在多个变化的已知热通量条件期间。通过在这些不同条件下收集测量，处理器420可经配置以产生表示工艺条件测量晶片组合件100的经识别的热通量-温度变动关系的模型。

在识别热通量-温度变动关系之后，工艺条件测量晶片组合件100可随后用于一或多个工艺(例如，外延室内的工艺、等离子体蚀刻室内的工艺)。虽然相应室内的条件可能通常是已知的，但如工艺条件测量晶片组合件100所经历的确切温度及热通量条件可能是未知的。据此，处理器412可经配置以从传感器416获取一组测试温度测量值及一组测试热通量测量值。

例如，在未知热通量条件下，所述一组温度传感器416可经配置以获取一组测试温度测量值，且所述一组热通量传感器416可经配置以获取一组测试热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量。处理器420可经配置以将经获取测量存储在存储器422中。

在另一实施例中，处理器420可经配置以基于一组测试热通量测量值及经识别的热通量-温度变动关系调整一组测试温度测量值。例如，基于热通量-温度变动关系，处理器420可经配置以识别温度传感器416的子组在一组特定热通量条件下读取较高温度。就此来说，处理器420可经配置以基于热通量-温度变动关系调整(例如，降低)由温度传感器416的子组收集的一组测试温度测量值的温度测量值。本文中应注意，处理器420可经配置以使用此项技术中已知的任何数学技术调整一组测试温度测量值。

在另一实施例中，处理器420可经配置以将经调整的一组测试温度测量值映射到工艺条件测量晶片组合件100的一或多个测量位置。例如，工艺条件测量晶片组合件100上的温度传感器416中的每一者的位置可能是已知的且经存储在存储器422中。温度传感器416的这些已知位置是其中由工艺条件测量晶片组合件100获取温度测量值的位置，且可被称为测量位置。就此来说，处理器420可经配置以将经调整的一组测试温度测量值映射到每一温度传感器416的相应已知位置(例如，测量位置)。

在另一实施例中，处理器420可经配置以基于经调整的一组测试温度测量值及一或多个内插函数，在一或多个测量位置之间的位置处内插一组温度值。例如，处理器420可经配置以将第一经调整温度值映射到第一测量位置且将第二经调整温度值映射到第二测量位置。在此实例中，处理器420可经配置以内插于第一测量位置与第二测量位置之间。例如，处理器420可经配置以将一或多个温度值指派到第一测量位置与第二测量位置之间的一或多个位置。

取决于各种测量位置之间的温度非均匀性的源及量值，经内插温度值的准确性可能变动。为了改进温度传感器416之间(例如，测量位置之间)的经内插温度值的准确性，处理器420可经配置以对不同类型的构造变动/非均匀性(例如，腔107a、107b的不同尺寸、电子组件106的尺寸/形状的变动、到不同表面的粘合、粘合剂及/或导电性质的变动及类似者)对经获取温度值的效应进行建模。例如，已知构造变动/非均匀性可被考虑且包含于上文所论述的热通量-温度变动关系中。就此来说，处理器420可经配置以在产生热通量-温度变动关系模型时考虑工艺条件测量晶片组合件100内的构造变动。

在考虑热通量-温度变动关系模型中的构造变动之后，工艺条件测量晶片组合件100可用于待测试室中。随后，可通过数种技术识别工艺非均匀性，包含但不限于：测量等离子体卡盘前非均匀性、稳态温度数据(例如，来自温度传感器416的温度测量值)；确定随时间的温度测量值的导数(dT/dt)以估计热通量及冷却非均匀性；同时获取温度测量值与热通量测量值；及类似者。在一些实施例中，处理器420可经配置以利用构造变动的已知效应(例如，至少部分地基于构造变动的热通量-温度变动关系模型)及经识别的工艺非均匀性以更准确地预测测量位置之间(例如，温度传感器416之间)的工艺温度值。

在额外及/或替代实施例中，由工艺条件测量晶片组合件100获取的测量参数及/或值可用于前馈或反馈回路中以便调整一或多个上游或下游工艺工具。例如，当在半导体装置工艺中获取测量参数时，一或多个处理器420可经配置以接收经获取的测量参数及/或经确定值，且产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以选择性地调整半导体装置工艺内的一或多个工艺工具的一或多个特性。可调整的处理工具可包含但不限于光刻工具、沉积工具、蚀刻工具及类似者。

本文中应注意，工艺条件测量晶片组合件100及相关联系统的一或多个组件可以此项技术已知的任何方式通信地耦合到工艺条件测量晶片组合件100及相关联系统的各种其它组件。例如，通信电路410、404可经由有线连接(例如，铜线、光纤电缆及类似者)或无线连接(例如，RF耦合、IR耦合、3G、4G、4G LTE、5G、WiFi、WiMax、蓝牙及类似者)彼此通信地耦合且耦合到其它组件。

在一个实施例中，一或多个处理器412、420可包含此项技术中已知的任何一或多个处理组件。在此意义上，一或多个处理器412、420可包含经配置以执行软件算法及/或指令的任何微处理器型的装置。在一个实施例中，一或多个处理器412、420可由桌面计算机、主计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或经配置以执行经配置以操作工艺条件测量晶片组合件100及相关联系统的程序的其它计算机系统(例如，网络计算机)组成，如贯穿本发明所描述。应认知，贯穿本发明所描述的步骤可由单个计算机系统或替代地多个计算机系统来实行。此外，应认知，贯穿本发明所描述的步骤可在一或多个处理器412、420中的任何一或多者上实行。通常，术语“处理器”可广义地被定义为涵盖具有执行来自存储器414、422的程序指令的一或多个处理组件的任何装置。此外，工艺条件测量晶片组合件100及相关联系统的不同子系统(例如，传感器416、远程数据系统402)可包含适于实行贯穿本发明所描述的步骤的至少一部分的处理器或逻辑组件。因此，上文描述不应被解释为限制本发明，而是仅仅说明本发明。

存储器414、422可包含此项技术中已知的适于存储可由相关联一或多个处理器412、420执行的程序指令及从工艺条件测量晶片组合件100/传感器416接收的数据的任何存储媒体。例如，存储器107、118、124可包含非暂时性存储器媒体。例如，存储器107、118、124可包含但不限于只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态驱动器及类似者。进一步应注意，存储器414、422可与一或多个处理器412、420一起容纳在共同控制器外壳中。在一替代实施例中，存储器414、422可相对于处理器412、420的物理位置远程地定位。在另一实施例中，存储器414、422维持用于致使一或多个处理器412、420实行通过本发明所描述的各种步骤的程序指令。

图6是根据本发明的一或多个实施例的用于计算跨工艺条件测量晶片组合件100的温度的方法600的流程图。

在步骤602中，在等温条件下从跨工艺条件测量晶片分布的一组温度传感器获取一组温度测量值且从跨工艺条件测量晶片分布的一组热通量传感器获取一组热通量测量值。例如，工艺条件测量晶片组合件100可经制造为包含分布在遍及工艺条件测量晶片组合件100的不同位置处的多个温度传感器416及多个热通量传感器416。在等温条件下，多个温度传感器416及多个热通量传感器416可经配置以分别获取一组温度测量值及一组热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量。

在步骤604中，校正在等温条件下获取的一组温度测量值及一组热通量测量值。例如，处理器420可经配置以通过调整经获取温度测量值的一或多者来校正一组温度测量值。作为另一实例，处理器420可经配置以将在等温条件下获取的测量设置为基线，可涉及所述基线比较及/或调整后续测量。

在步骤606中，将已知热通量应用到工艺条件测量晶片。例如，在处理环境中，处理器420可通信地耦合到一或多个热源(未展示)。处理器420可经配置以产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使一或多个热源将已知热通量应用到工艺条件测量晶片组合件100。

在步骤608中，在应用已知热通量期间，从所述一组温度传感器获取一组额外温度测量值且从所述一组热通量传感器获取一组额外热通量测量值。例如，在应用已知热通量期间，多个温度传感器416及多个热通量传感器416可经配置以分别获取一组额外温度测量值及一组额外热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量。处理器420可经配置以将经获取测量存储在存储器422中。

在步骤610中，识别在应用已知热通量期间跨所述一组温度传感器观察到的温度变动。例如，如本文中先前关于图5所述，构造变动(例如，腔107a、107b的不同尺寸、电子组件106的尺寸/形状的变动、到不同表面的粘合、粘合剂及/或导电性质的变动及类似者)可致使第一温度传感器416a与额外温度传感器416b相较，获取不同读数。就此来说，处理器420可经配置以识别在应用已知热通量期间跨所述一组温度传感器416观察到的一或多个温度变动。

在步骤612中，通过将已知热通量与所述一组温度传感器的经识别温度变动相关来识别热通量-温度变动关系。例如，处理器420可经配置以将已知热通量与经识别温度变动相关联以便识别热通量-温度变动关系。本文中预期，经识别的热通量-温度变动关系可采用此项技术中已知的任何形式，包含但不限于由(若干)数学方程式表示的关系、相关联热通量值及相关温度变动值的列表、及类似者。

在步骤614中，在未知热通量条件下，从所述一组温度传感器获取一组测试温度测量值且从所述热通量传感器获取一组测试热通量测量值。例如，在未知热通量条件下，所述一组温度传感器416可经配置以获取一组测试温度测量值，且所述一组热通量传感器416可经配置以获取一组测试热通量测量值。接着，处理器420可经配置以经由通信电路404、410接收经获取测量。处理器420可经配置以将经获取测量存储在存储器422中。

在步骤616中，基于一组测试热通量测量值及经识别的热通量-温度变动关系调整一组测试温度测量值。例如，基于热通量-温度变动关系，处理器420可经配置以识别温度传感器416的子组在一组特定热通量条件下读取较高温度。就此来说，处理器420可经配置以基于热通量-温度变动关系调整(例如，降低)由温度传感器416的子组收集的一组测试温度测量值的温度测量值。本文中应注意，处理器420可经配置以使用此项技术中已知的任何数学技术调整一组测试温度测量值。

本文中所描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储在存储器中。结果可包含本文中所描述的任何结果且可以此项技术已知的任何方式存储。存储器可包含本文中所描述的任何存储器或此项技术中已知的任何其它合适存储媒体。在已存储结果之后，结果可在存储器中存取且由本文中所描述的任何方法或系统实施例使用，经格式化以向用户显示，由另一软件模块、方法或系统使用及类似者。此外，结果可“永久地”、“半永久地”、“暂时地”存储或存储达一定时间周期。例如，存储器可为随机存取存储器(RAM)，且结果可能未必无限期地保持在存储器中。

进一步预期，上文所描述的方法的每一实施例可包含本文中所描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步骤。另外，上文所描述的方法的每一实施例可由本文中所描述的任何系统来执行。

如本文中所使用，方向性术语(例如“顶部”、“底部”、“上方”、“下面”、“上”、“向上”、“下”、“下方”、“向下”及类似术语)希望出于描述目的而提供相对位置，且并非希望指定绝对参考系。所描述实施例的各种修改对于所属领域的技术人员将是显而易见的，且本文中所定义的一般原理可应用到其它实施例。因此，本发明并非希望限于中所展示及所描述的特定实施例，而是符合与本文中所揭示的原理及新颖特征一致的最宽范围。

本文中所描述的目标物有时说明其它组件内所含或与其它组件连接的不同组件。应理解，这些所描绘的架构仅仅是示范性的，且事实上可实施实现相同功能的许多其它架构。在概念意义上，实现相同功能的任何组件布置有效地“相关联”，使得实现所期望功能。因此，在本文中组合以实现特定功能的任何两个组件可被视为彼此“相关联”，使得实现所期望功能，而与架构或中间组件无关。同样地，如此相关联的任何两个组件也可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所期望功能，且能够如此相关联的任何两个组件也可被视为彼此“可耦合”以实现所期望功能。可耦合的特定实例包含但不限于物理上可交互及/或物理上交互的组件及/或可无线交互及/或无线交互的组件及/或逻辑上可交互的及/或逻辑上交互的组件。

此外，应理解，本发明由所附权利要求书界定。所属领域的技术人员将理解，通常，本文中且尤其是所附权利要求书中所使用的术语(例如，所附权利要求书的主文)通常希望作为“开放性”术语(例如，术语“包含(including)”应被解释为“包含但不限于”，术语“具有”应被解释为“至少具有”，术语“包含(includes)”应被解释为“包含但不限于”及类似者)。所属领域的技术人员将进一步理解，如果希望特定数量个经介绍权利要求叙述，那么在权利要求书中将明确地叙述此意图，且在缺乏此叙述的情况下，不存在此意图。例如，为了帮助理解，下文所附权利要求书可含有介绍性词组“至少一个”及“一或多个”的使用以介绍权利要求叙述。然而，这些词组的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”介绍权利要求叙述将含有此经介绍权利要求叙述的任何特定权利要求限于含有仅一个此叙述的发明，即使相同权利要求包含介绍性词组“一或多个”或“至少一个”及例如“一”或“一个”的不定冠词(例如，“一”及/或“一个”通常应被解释为意指“至少一个”或“一或多个”)；同样情况适用于用来介绍权利要求叙述的定冠词的使用。另外，即使明确地叙述特定数量个经介绍权利要求叙述，所属领域的技术人员仍将认知，此叙述通常应被解释为意指至少所叙述数量(例如，不具有其它修饰语的“两个叙述”的纯粹叙述通常意指至少两个叙述、或两个或更多个叙述)。此外，在其中使用类似于“A、B及C的至少一者、及类似者”的惯例的这些情况下，通常此构造希望所属领域的技术人员将理解所述惯例的意义(例如，“具有A、B及C中的至少一者的系统”将包含但不限于单独具有A，单独具有B，单独具有C，一起具有A及B，一起具有A及C，一起具有B及C及/或一起具有A、B及C及类似者的系统)。在其中使用类似于“A、B或C中的至少一者、及类似者”的惯例的这些情况下，通常此构造希望所属领域的技术人员将理解所述惯例的意义(例如，“具有A、B或C中的至少一者的系统”将包含但不限于单独具有A，单独具有B，单独具有C，一起具有A及B，一起具有A及C，一起具有B及C及/或一起具有A、B及C及类似者的系统)。所属领域的技术人员将进一步理解，实际上呈现两个或更多个替代术语的任何反意连接词及/或词组，无论在具体实施方式、权利要求书或附图中，应被理解为预期包含所述术语中的一者、所述术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，词组“A或B”将被理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。

应相信，通过前文描述将理解本发明及其许多伴随优点，且将显而易见的是，在不背离所揭示目标物的情况下或在不牺牲所有其重大优势的情况下，可在组件的形式、构造及布置上进行各种改变。所描述形式仅仅是解释性的，且所附权利要求书希望涵盖及包含这些改变。此外，应理解，本发明由所附权利要求书界定。