技术领域
本发明属于光电催化领域,特别涉及一种将Cr(VI)还原为Cr(III)的3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
背景技术
近年来,快速工业化对环境造成了严重的威胁,特别是含重金属离子废水的排放已经成为人们担心的首要问题。铬是一种典型的重金属污染物,主要来源于皮革鞣制、纺织制造、钢铁制造等行业。与其他重金属相比,铬主要以Cr(VI)和Cr(III)两种价态存在,其中,Cr(VI)因其对生物体的急性毒性而被认为是致癌物,而Cr(III)无毒,是人体必需的微量金属。因此,将Cr(VI)还原为Cr(III)被认为是一种行之有效的水处理方法。
为解决Cr(VI)的还原问题,研究人员已经开展了各种研究工作:微生物还原、化学还原和光催化还原等等。光电催化技术是近年来发展起来的一种高效的催化技术,它利用取之不尽用之不竭的太阳光作为能源,具有节能、环保、高效等特性,在电驱动下可以加快光生载流子的分离,提高太阳能转换成化学能的转化效率。目前,该技术已被广泛应用在各种催化领域,包括析氢、加氢、析氧、CO
半导体异质结,特别是Z型电荷传导模式的异质结是公认的比较高效的光电催化剂。光激发使半导体中的电子从价带(VB)跃迁至导带(CB),形成电子/空穴对,并且,一种半导体CB位置的e
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
本发明采用的技术方案是:一种3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
进一步的,按质量百分比,Fe
一种3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
进一步的,上述的制备方法,按体积比,乙醇:去离子水=20:1。
进一步的,上述的制备方法,所述Zn
进一步的,上述的制备方法,按摩尔比,InCl
本发明提供的3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
进一步的,方法如下:将Zn
进一步的,所述光电催化条件是:电压为-0.4~-0.7V,λ>420nm的可见光作为光源。
进一步的,所述电解质溶液为pH=3.0,浓度为0.1mol·L
本发明的有益效果是:本发明提供的3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
附图说明
图1是实施例1制备的Zn
图2是实施例1制备的Zn
图3是α-Fe
图4是Zn
图5是放大的Fe元素XPS精细谱图。
图6是Zn
图7是Zn
图8是Zn
图9是自由基捕获图。
图10是Cr(VI)还原反应机理。
具体实施方式
实施例1 3D花状Z型异质结光电催化剂Zn
(一)制备方法
1、Zn
0.5865g InCl
0.8711g ZnSO
2、Zn
0.013g硝酸铁(Fe(NO
(二)材料表征
1、图1是Zn
2、图2是Zn
3、图3是α-Fe
4、图4是Zn
5、图5是放大的Fe元素XPS精细谱。由图5可见,证明Fe元素为三价,说明Fe
实施例2Zn
方法如下:将Zn
(一)不同光电催化剂对Cr(VI)还原为Cr(III)的影响
工作电极分别采用涂覆了Zn
(二)不同催化条件对Cr(VI)还原为Cr(III)的影响
方法如下:将Zn
由图7可见,反应120min后,纯光、纯电和光/电协同的Cr(VI)还原率分别为36%,18%和78%,可见,相比于单纯的光催化和电催化,光电催化展示了明显增强的催化活性,证明了光电的协同作用。
(三)Fe
Zn
分别将不同Fe
表1不同Fe
(四)Zn
图8为Zn
(五)Zn
在催化过程中,通常存在着多种活性粒子,包括h
基于产生活性粒子的标准电极电位(O
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 蜂窝状均质异质结碳氮化物复合材料及其制备方法及其在废气催化处理中的应用
机译: 双组分,多网络,纳米纤维支撑的异质结光催化催化剂的制备方法及其应用