一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法

摘要

本发明涉及一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法，其中，DRAM芯片封装结构，包括载板，设于所述载板上表面的芯片，及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线，所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面，所述环氧树脂层的上表面还设有线层，所述金属线的上端还与所述线层连接，所述线层的上表面还设有若干个锡球。本发明通过运用重新布线工艺,移除了传统的基板，运用金属线垂直连接芯片和重新布线层线路，减少了线路长度，芯片和金属载板之间有导热胶层，金属载板提升了芯片的散热性能，从而提升了产品电、热性能且降低了成本。