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公开/公告号CN112635459A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202010579533.5
发明设计人 R.基奇;A.S.墨菲;N.G.米努蒂洛;S.维什瓦纳思;M.哈桑;B.古哈;S.拉费克;
申请日2020-06-23
分类号H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张凌苗;申屠伟进
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 10:32:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:2020105795335 申请日:20200623
实质审查的生效
机译: 高纵横比源或漏极结构具有突然掺杂剂
机译: 具有高纵横比,陡峭掺杂剂的n型源或漏极结构
机译: 在源极/漏极区以下具有低突变体掺杂剂分布的场效应晶体管的制造
机译:凹陷的沟道和/或掩埋的源极/漏极结构,用于提高具有高k栅极电介质的肖特基势垒源极/漏极晶体管的性能
机译:具有用于RF /模拟和逻辑应用的双偏移植入源 - 漏极扩展结构的70 NM SOI-CMOS,具有用于RF /模拟和逻辑应用的双偏移源 - 漏极扩展结构
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:高C Si的掺杂剂扩散和C进化的实验与理论分析:C EPI层:Si:C源和漏极源与渗透源和漏极源
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:高掺杂漏极注入和窗口尺寸对p + / n si1-xGex源极/漏极结中缺陷产生的影响
机译:使用阴影沉积技术制备和表征具有50个非均源漏极分子的分子晶体管:朝着更快,更灵敏的分子为基础的器件