用于二维材料生长设备静态混合器

摘要

本发明涉及一种用于二维材料生长设备静态混合器，它包括混合罐、进气管、出气接口、第一混气挡板与第二混气挡板；在混合罐的底面板上固定有若干进气管，在混合罐的顶面板上固定有出气接口，在底面板与顶面板之间的混合罐的内壁上固定有若干块呈间隔设置在第二混气挡板，在相邻两块第二混气挡板之间的混合罐的内壁上固定有一块第一混气挡板，在第一混气挡板的中部位置开设有若干个第一混气孔，在所述第二混气挡板的整个板面上开设有开设有第二混气孔，第二混气孔的孔径小于第一混气孔的孔径。本发明稳定可靠、混气效果好、能大幅度提高生长效率和成功率。

说明书

技术领域

本发明属于二维材料生长设备技术领域，具体地说是一种用于二维材料生长设备静态混合器。

背景技术

现有二维材料生长设备没有气体混合器，气体直接进入生长器中，让其自然扩散、碰撞混合，气相中浓度相差较大，混合不均匀。影响了生长效率，严重的甚至导致生长失败。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能够使多种气体混合更加均匀、提高生成效率和成功率的用于二维材料生长设备静态混合器。

按照本发明提供的技术方案，所述用于二维材料生长设备静态混合器，它包括混合罐、进气管、出气接口、第一混气挡板与第二混气挡板；在混合罐的底面板上固定有若干进气管，在混合罐的顶面板上固定有出气接口，在底面板与顶面板之间的混合罐的内壁上固定有若干块呈间隔设置在第二混气挡板，在相邻两块第二混气挡板之间的混合罐的内壁上固定有一块第一混气挡板，在第一混气挡板的中部位置开设有若干个第一混气孔，在所述第二混气挡板的整个板面上开设有开设有第二混气孔，第二混气孔的孔径小于第一混气孔的孔径。

作为优选，所述第一混气挡板上的所有第一混气孔的截面积之和大于与其相邻的第二混气挡板上的所有第二混气孔的截面积之和。

作为优选，相邻的第二混气挡板与第一混气挡板呈平行设置。

作为优选，所述第二混气孔的孔间距大于第一混气孔的孔间距。

本发明结构简单、安装方便且结构便宜。本发明稳定可靠、混气效果好、能大幅度提高生长效率和成功率。

附图说明

图1是本发明的主视图。

图2是本发明的俯视图。

图3是本发明中第一混气挡板的结构示意图。

图4是本发明中第二混气挡板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。

一种用于二维材料生长设备静态混合器，如图1至图4所示，它包括混合罐1、进气管2、出气接口3、第一混气挡板4与第二混气挡板5；在混合罐1的底面板上固定有两根进气管2，在混合罐1的顶面板上固定有出气接口3，在底面板与顶面板之间的混合罐1的内壁上固定有两块呈间隔设置在第二混气挡板5，在两块第二混气挡板5之间的混合罐1的内壁上固定有一块第一混气挡板4，在第一混气挡板4的中部位置开设有若干个第一混气孔41，在所述第二混气挡板5的整个板面上开设有开设有第二混气孔51，第二混气孔51的孔径小于第一混气孔41的孔径。

相邻的第二混气挡板5与第一混气挡板4呈平行设置。

所述第二混气孔51的孔间距大于第一混气孔41的孔间距。

本发明中，混合罐1的底面板与位于下方的第二混气挡板5之间形成第一混合腔体，位于下方的第二混气挡板5与第一混气挡板4之间形成第二混合腔体，第一混气挡板4与位于上方的第二混气挡板5之间形成第三混合腔体，位于上方的第二混气挡板5与混合罐1的顶面板之间形成第四混合腔体。

本发明在工作时，两根进气管2内通入不同的二维材料生长气体，首先，不同的二维材料生长气体通过进气孔进入第一混合腔体。位于下方的第二混气挡板5上开设密密麻麻的小孔径第二混气孔51，它的目的是让气体慢慢地流出，使两种不同的二维材料生长气体能够在第一混合腔体里面慢慢地混合碰撞，然后从第二混气孔51里慢慢出去并进入第二混合腔体。

由于第一混气挡板4的中部位置开设有若干个大孔径的第一混气孔41，第一混气挡板4上的所有第一混气孔41的截面积之和大于与其相邻的第二混气挡板5上的所有第二混气孔51的截面积之和，它的目的是让两种不同的二维材料生长气体碰撞在腔体中形成气流漩涡，使它充分更使气体更充分的碰撞融合。

第三混合腔体和第一混合腔体的作用一样，目的是气体进行缓冲缓慢碰撞更进一步进行气体融合最后从稠密的小孔径第二混气孔51中出来。气体进入了第四混合腔体再进一步融合准备出气。

也就是说，第一混合腔体的作用是初步缓慢碰撞混合。第二混合腔体的作用是充分激励碰撞漩涡混合。第三混合腔体的作用是更进一步、充分碰撞融合混合。第四混合腔体的作用是为准备出气出气做准备。

本发明中，第二混气挡板5的数量并不局限于只有两块，第一混气挡板4的数量比第二混气挡板5的数量少一块，设置更多的第二混气挡板5与第一混气挡板4可以提高二维材料生长用气体的混合效果，其工作原理同上。

本发明中，进气管2的数量并不局限于只有两根，可以根据所要生长晶体的需要设置更多的进气管2的数量。