一种氧化钨基陶瓷靶材材料的热等静压烧结制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化钨基陶瓷靶材材料的热等静压烧结制备方法，包括以下步骤：原料准备：包含高纯氧化钨和掺杂源粉体的混合粉体，掺杂源选自Ti、Mo、V、Al、Li、Zr中的至少三种，所述混合粉体的纯度大于99.95％，平均粒径500nm‑1800nm，D50粒径在200‑750nm；M1、M2、M3、M4、M5的数量关系符合公式：装粉、真空脱气；热等静压烧结；保温结束取出烧坯；根据需要进行或不进行机加工。该种热等静压烧结制备方法能够制备导电性良好、纯度较高、晶粒尺寸细小、致密度高的氧化钨基陶瓷靶材材料。