一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法

摘要

本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。