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一种新型n级电感储能型大电流源电路拓扑结构

摘要

本发明属于电磁发射技术领域,提供了一种新型n级电感储能型大电流源电路拓扑结构,包括初级电源、n级电感串联充电并联放电基本回路拓扑结构和电磁轨道炮负载结构三个部分。本发明提出的新型电感储能型大电流源电路结构开关部分采用晶闸管作为开关器件,通过与其并联反向二极管,对其施加反向电压,从而可以实现晶闸管的可靠关断,有效地提高系统的可控性能。本电路拓扑结构中的控制部分添加优化反向二极管对充电回路进行充分的隔离,保证在充电过程中电感电流的线性上升和电容电压稳定。避免了电容和电感的纹波,提高电源的充电效率。此外,本电路提出的n级电路拓扑结构,结构较为简单,具有较好的拓展性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112448607A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202011282676.6

  • 申请日2020-11-14

  • 分类号H02M9/02(20060101);H03K3/352(20060101);H03K3/57(20060101);F41B6/00(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 10:06:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-14

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H02M 9/02 专利申请号:2020112826766 申请公布日:20210305

    发明专利申请公布后的撤回

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