超薄晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法

摘要

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法。其中方法包括将晶圆经上料区上料；将晶圆从上料区置于第一刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面进行刻蚀；将晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；将晶圆置于第二刻蚀槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面再次进行刻蚀；将晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；将晶圆置于氢氟酸槽，晶圆浸入氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；将晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；将晶圆经下料区下料，完成晶圆的刻蚀。采用本发明刻蚀液及方法得到的晶圆，表面平坦度好，一致性好，质量较佳。