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使用激光束对半导体基板进行局部金属化

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摘要

本公开描述了使用激光束对半导体基板进行的局部金属化，以及所得到的结构，例如微电子装置、半导体基板和/或太阳能电池。例如，太阳能电池包括基板以及设置在所述基板之中或上方的多个半导体区。多个导电接触结构电连接至所述多个半导体区。每个导电接触结构包括设置成与对应的半导体区接触的局部沉积的金属部分。

公开/公告号CN112424956A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-26

原文格式PDF
申请/专利权人太阳能公司;
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申请/专利号CN201980024700.5
发明设计人吕珮玄;本杰明·I·夏;戴维·阿龙·R·巴尔克豪泽;李·高尔尼;
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申请日2019-04-05
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0236(20060101);H01L31/02(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0368(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人顾红霞;张芸
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 10:00:31

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-09-02

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L31/18 专利申请号:2019800247005 登记生效日:20220823 变更事项:申请人变更前权利人:太阳能公司变更后权利人:迈可晟太阳能有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:新加坡新加坡城

专利申请权、专利权的转移

1. 使用激光束对半导体基板进行局部金属化 [P] . 中国专利： CN112424956A . 2021-02-26
2. 使用激光束对半导体结构进行局部图案化和金属化 [P] . 中国专利： CN112534589A . 2021-03-19
3. Local metallization for semiconductor substrates using a laser beam [P] . AU2019249263A1 . 2020-11-05

机译：使用激光束对半导体衬底进行局部金属化
4. LOCAL METALLIZATION FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING A LASER BEAM [P] . 美国专利： US2019312156A1 . 2019-10-10

机译：使用激光束对半导体基体进行局部金属化
5. LOCAL METALLIZATION FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING A LASER BEAM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019195786A1 . 2019-10-10

机译：使用激光束对半导体基体进行局部金属化