法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-20
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2019107608542 申请公布日:20210223
发明专利申请公布后的驳回
机译: 功率半导体器件高压二极管,在过渡区具有p型过渡掺杂区,在器件或器件一部分的瞬态掺杂区中进行掺杂,而在器件表面附近的区域中进行掺杂
机译: 具有堆叠异质掺杂RIM和渐进漂移区的增强型RESURF HVPMOS器件
机译: 具有堆叠异质掺杂RIM和渐进漂移区的增强型Resurf HVPMOS器件