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晶圆自制背封结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种晶圆自制背封结构的制造方法,包括如下步骤:步骤S1,在晶圆的背面生长第一薄膜层;步骤S2,将所述晶圆旋转一角度,使旋转后的所述晶圆和晶舟的接触处与旋转前的所述晶圆和晶舟的接触处不重合;步骤S3,在所述晶圆的背面生长第二薄膜层,所述第一薄膜层和所述第二薄膜层组成背封结构。本发明从减少应力集中的角度出发,将现有技术中一步生长背封结构的方式改进为分步生长的方式,并且在第一次生长之后将晶圆进行旋转,从而使得两次生长中晶圆和晶舟的接触处(即晶舟支撑脚在晶圆上的位置)不同,这样可以减小支撑脚处所受的应力强度,从而减小碎片的几率,降低芯片的制造成本。

著录项

  • 公开/公告号CN112382556A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202011319117.8

  • 申请日2020-11-23

  • 分类号H01L21/02(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人栾美洁

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2023-06-19 09:57:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-28

    授权

    发明专利权授予

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