基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法。本发明光电传感器包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层,栅极，器件隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触；本发明通过在像素有源区上引入额外的辅助控制栅极，来调控像素的有效有源区长度LA，成功实现具有传感性能可调的PISD器件。与通过工艺制造调整有源区实际物理长度相比，本发明通过辅助栅极的电学调控，可实现PISD在高灵敏度和高探测范围两种工作模式之间的自由切换，丰富了原有PISD器件的光电传感功能。