公开/公告号CN112340694A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十九研究所;
申请/专利号CN202011208598.5
申请日2020-11-03
分类号B81C1/00(20060101);B81C3/00(20060101);H01L23/473(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人李想
地址 610036 四川省成都市金牛区营康西路496号
入库时间 2023-06-19 09:51:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-12
授权
发明专利权授予
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 基于氮化镓的芯片,芯片制造方法,氮化镓动力装置和电路
机译: 并且获得了一种用于获得含镓氮化物块状单晶的方法中的晶体中去除杂质的工艺,用于制造由含镓氮化物块状单晶制成的基板的方法。