一种三维分层多级TiO2纳米花NH3敏传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维分层多级TiO2纳米花NH3敏传感器及其制备方法，克服现有制备技术中对设备和原材料要求高、工艺复杂且能耗高的问题，解决TiO2厚膜气敏材料导致的气敏传感器稳定性、一致性差的问题。本发明的技术方案为：一种三维分层多级TiO2纳米花NH3敏传感器的制备方法，利用水溶液法在银叉指电极上原位生长三维分层多级TiO2纳米花薄膜，制备得到一种三维分层多级TiO2纳米花NH3敏传感器。本发明使用原位生长的方法，使得TiO2气敏材料与基底之间具有强结合力，保证气敏元件的长期稳定性和一致性，并且为气体吸附提供了大量的活性位点和吸附和脱附的扩散通道，能大幅度提升TiO2对NH3的气敏特性。

说明书

技术领域

本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种三维分层多级TiO

背景技术

NH

金属氧化物TiO

目前，薄膜型气体传感器的原位生长法主要有：磁控溅射、CVD法，喷雾热解法，旋涂法等。但是，这些方法对仪器及原材料的要求比较高，在制备过程复杂，需要对温度、流速、衬底、载气等因素严格把控，才能保证成品的纯度、结构性、物理化学特性等。

发明内容

本发明的目的是要提供一种原位生长三维分层多级TiO

为了达到上述目的，本发明提供以下制备方案：

一种原位生长三维分层多级TiO

具体包括以下步骤：

步骤一、在Ag电极表面原位生长TiO

将1ml的TiCl

步骤二、在Ag电极表面原位生长三维分层多级TiO

将1ml钛酸四丁酯至于20ml冰乙酸中，搅拌30min，称取0.1g AgNO

根据上述制备方法制得的一种三维分层多级TiO

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明使用一种原位生长的方法，使得TiO

附图说明

图1是实施例1制备的三维分层多级TiO

图2是实施例2制备的三维分层多级TiO

图3是实施例3制备的三维分层多级TiO

图4是实施例1制备的三维分层多级TiO

图5是实施例1制备的三维分层多级TiO

图6 是实施例1制备的三维分层多级TiO

图7 是实施例1制备的三维分层多级TiO

图8是实施例1制备的三维分层多级TiO

图9是实施例1制备的三维分层多级TiO

图10是实施例1制备的三维分层多级TiO

具体实施方式

下面将结合具体实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式包括但不限于以下实施例表示的范围。

三维分层多级TiO

实施例1：

一、在Ag电极表面原位生长TiO

将Ag叉指电极先后放入30ml丙酮、30ml乙醇、30ml去离子水中，各进行超声清洗15min，之后放在瓷舟上，待其干燥。将1ml的TiCl

二、在Ag电极表面原位生长三维分层多级TiO

将1ml钛酸四丁酯至于20ml冰乙酸中，搅拌30min，称取0.1gAgNO

实施例2：

一、在Ag电极表面原位生长TiO

将Ag叉指电极先后放入30ml丙酮、30ml乙醇、30ml去离子水中，各进行超声清洗15min，之后放在瓷舟上，待其干燥。将1ml的TiCl

二、原位生长三维分层多级TiO

将1ml钛酸四丁酯至于20ml冰乙酸中，搅拌30min，称取0.1gAgNO3溶于20ml冰乙酸中，磁力搅拌30min充分溶解，将两种溶液混合后继续超声搅拌15min。然后将覆有TiO

实施例3：

一、在Ag电极表面原位生长TiO

将Ag叉指电极先后放入30ml丙酮、30ml乙醇、30ml去离子水中，各进行超声清洗15min，之后放在瓷舟上，待其干燥。将1ml的TiCl

二、原位生长三维分层多级TiO

将0.5ml钛酸四丁酯至于20ml冰乙酸中，搅拌30min，称取0.1gAgNO

以实施例1的三维分层多级TiO

(a)三维分层多级TiO

参见图2可知，可以看出三维分层多级TiO

三维分层多级TiO

参见图4可知，三维分层多级TiO

三维分层多级TiO

参见图5可知，图中所对应的晶格间距为锐钛矿型的TiO

三维分层多级TiO

参见图6可知，经过和标准比色卡（JCPDS NO.21-1272）对比可知，在本XRD中出现的七个衍射峰都是属于二氧化钛的体心立方结构的衍射峰。(e)三维分层多级TiO

参见图8可知，实施例1所制备的TiO

（f）三维分层多级TiO

参见图10可知，实施例1所制备的TiO