VT-BS模型的先进工艺控制方法、系统及半导体设备

摘要

本发明提供了一种VT‑BS模型的先进工艺控制方法、系统及半导体设备，先进工艺控制方法包括以下步骤：提供全局VT‑BS路径配置、全局VT‑BS炉管Recipe配置和全局VT‑BS炉管ChargeRule配置；根据所述全局VT‑BS路径配置、所述全局VT‑BS炉管Recipe配置和所述全局VT‑BS炉管ChargeRule配置，通过VT‑BS路径组合配置算法对若干个待组批的Lot组批，得到VT‑BS路径组合、VT‑BS Batch及Wafer的VT‑BS Path信息；以Wafer是否在激活状态的所述VT‑BS Batch中为依据，对准备VT注入作业的Lot分批，进行VT Implant作业；根据所述VT‑BS Batch以及当前炉管Recipe信息，确定所有准备炉管作业的所有Lot中Wafer的BoatSlot，进行炉管作业。本发明提供的先进工艺控制方法能够对VT‑BS模型的实际运用进行精确控制，能够实现VT Implant剂量补偿炉管BoatSlot间的差异，提高产品良率与产量。