一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用

摘要

本申请公开了一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用。该方法包括将待测碳化硅晶片进行抛光处理，得到第一碳化硅晶片，其表面粗糙度Rq≤0.8nm，使用热碱液腐蚀所述第一碳化硅晶片的表面，得到表面显现出位错腐蚀坑的第二碳化硅晶片，对所述第二碳化硅晶片进行光学显微观测，识别所述位错。现有技术通常在热碱腐蚀前进行研磨、机械抛光、化学机械抛光等工艺，本申请发现只需使表面粗糙度降低至一定阈值，即可去除光学显微观测位错时存在的水滴状干扰，不需要将表面粗糙度降得过低，如在机械抛光阶段进行工艺优化，可以省去最终化学机械抛光加工工艺。本申请方法具有操作简便，不需要复杂的试剂、效率高、成本低等优点。