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公开/公告号CN112251815A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州大学;
申请/专利号CN202010953206.1
发明设计人 高凯歌;王一鸣;
申请日2020-09-11
分类号C30B29/54(20060101);C30B7/02(20060101);
代理机构32102 南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人董旭东
地址 225000 江苏省扬州市开发区大学南路88号
入库时间 2023-06-19 09:36:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-05
授权
发明专利权授予
机译: 生长异质外延单晶或大晶粒半导体膜的方法及其上的器件
机译:一维有机铅碘钙钛矿大单晶的性质和生长
机译:九州大学材料研究所,开发高质量,低价的单晶硅生长方法,实现了50厘米大的晶体生长,实现了氧浓度小于或等于6 ppm,并扩展到功率器件
机译:单晶钛酸钠和钨酸钠一维纳米结构的生长:采用牡蛎壳的生物启发方法
机译:拟一维化合物Mte_4(M = Nb,Ta)中的单晶生长和磁传输性质
机译:NC-AFM和XPS研究支持通过光化学方法生长的钴(III)氧化物纳米结构的单晶表面。
机译:用非弹性布里渊光散射和双折射测量研究的使用固态单晶生长方法生长的钛酸钡单晶的前体现象
机译:贵金属单晶球生长的方法论贵金属单晶球生长的方法论
机译:大等距YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(sub x)单晶的生长及其磁通钉扎特性