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一维DMAPbI3大单晶的生长方法

摘要

本发明涉及有机无机杂化钙钛矿晶体材料领域内的一种一维DMAPbI3大单晶的生长方法,该方法包括如下步骤:1)将苄胺和PbI2搅拌溶解于DMF中,形成澄清的黄色溶液;2)将氢碘酸溶液滴到溶液中,然后滴加亚磷酸水溶液来稳定氢碘酸,最终形成的溶液呈澄清黄色溶液;3)将获得的黄色溶液在55‑65℃加热使液体挥发,DMF分解得到二甲胺,得到DMAPbI3饱和溶液;4)将得到的溶液室温下挥发溶剂,经10‑30天即生长出大的黄色单晶。本发明通过改进的溶液法生长出尺寸达到2 mm×4 mm×8 mm的一维DMAPbI3大单晶,其可作为光电材料,可在光电转换领域获得良好的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN112251815A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州大学;

    申请/专利号CN202010953206.1

  • 发明设计人 高凯歌;王一鸣;

    申请日2020-09-11

  • 分类号C30B29/54(20060101);C30B7/02(20060101);

  • 代理机构32102 南京苏科专利代理有限责任公司;

  • 代理人董旭东

  • 地址 225000 江苏省扬州市开发区大学南路88号

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    授权

    发明专利权授予

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