法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/45 专利申请号:2019106396185 申请日:20190716
实质审查的生效
机译: 在衬底上形成电介质层,包括从工艺气体在等离子体电极和衬底之间产生等离子体,以及通过衬底和工艺气体的至少部分化学反应在衬底上形成电介质层。
机译: 在衬底上形成器件,在衬底上形成器件阵列,在衬底上形成导线,在衬底上形成电容器阵列的半导体处理方法以及集成电路
机译: 在衬底上形成器件,在衬底上形成器件阵列,在衬底上形成导线,在衬底上形成电容器阵列的半导体处理方法以及集成电路