一种用于VCSEL的多组分量子阱外延结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及多量子阱外延结构领域，公开了一种用于VCSEL的多组分量子阱外延结构及其制备工艺。主旨在于如何优化设计850nm垂直腔型面发射激光器件的GaAs/AlxGa1‑xAs多量子阱外延结构材料的参数，进一步提高VCSEL的调制特性和输出效率。主要方案是利用低压金属有机化学气相沉积(LP‑MOCVD)生长工艺，设计的VCSEL的结构模型选择半绝缘GaAs作为外延材料生长的衬底，对生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要工艺参数进行生长实验研究，在控制变量的基础上对材料的各项参数调整优化，进行了完整外延结构的生长，同时确定了最佳生长速度。