机译:新兴的Ga(Sb,Bi)外延层和Ga(Sb,Bi)/ GaSb量子阱的微结构和界面分析,用于光电应用
Leibniz Inst Forsch Verbund Berlin eV, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
Univ Montpellier, CNRS, IES, F-34000 Montpellier, France;
Univ Montpellier, CNRS, IES, F-34000 Montpellier, France;
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Leibniz Inst Forsch Verbund Berlin eV, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
机译:通过光致发光证明稀铋GaSb / AlGaSb单量子阱中的浅阶梯状界面
机译:通过光致发光证明稀铋GaSb / AIGaSb单量子阱中的浅阶梯状界面
机译:具有不同Bi含量和量子阱厚度的Ga(Sb,Bi)/ GaSb量子阱的透射电子显微镜
机译:压力对GaSb / AlSb双势垒量子结构中固有双稳态的影响:模拟模型和定性结果
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:GaAsBi / AlAs量子阱中的铋量子点
机译:通过光致发光证明稀铋GaSb / AlGaSb单量子阱中的浅阶梯状界面