机译:用于子带间工程的分子束外延生长的应变对称Si / SiGe多量子阱结构
Linkoping Univ, Dept Phys Chem & Biol, SE-58183 Linkoping, Sweden;
Natl Nano Device Labs, Hsinchu 300, Taiwan;
Heriot Watt Univ, Dept Phys, Edinburgh EH14 4AS, Midlothian, Scotland;
Univ Surrey, Dept Phys, Guildford GU2 7XH, Surrey, England;
Johannes Kepler Univ, Inst Halbleiter & Festkorperphys, A-4040 Linz, Austria;
Univ Cambridge, Cavendish Lab, Cambridge CB3 0HE, England;
molecular beam epitaxy (MBE); Si/SiGe; pump-probe spectroscopy; intersubband transition; lifetime; QUANTUM CASCADE STRUCTURES; RELAXATION; LASER;
机译:分子束外延生长应变对称调制掺杂Si / SiGe结构的结构研究
机译:分子束外延生长的SiGe异质结构中Sb的偏析:生长条件和结构参数的相互依赖
机译:分子束外延生长名义上未掺杂的Si / sige异质结构纳米线的增强电性能
机译:通过分子束外延在n + sup>埋层结构上生长的自对准Si / SiGe异质结双极晶体管
机译:子带外延生长和宽带隙锌-镁-硒半导体材料及其子结构的异质结构的表征。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的AlN纳米壁结构
机译:分子束外延生长在Si / SiGe谐振带间隧道二极管中逻辑和存储器应用的电压摆幅分析
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构