公开/公告号CN112234097A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 北京邮电大学;
申请/专利号CN202011052522.8
申请日2020-09-29
分类号H01L29/45(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/10(20060101);H01S5/042(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人陈征
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
入库时间 2023-06-19 09:33:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-17
授权
发明专利权授予
机译: 在III-V族化合物半导体的N掺杂半导体层上形成欧姆接触的方法
机译: 在III-V族复合半导体的N-掺杂半导体层上形成欧姆接触部分的方法
机译: 包括外延欧姆接触非氮化物缓冲层的III-V族氮化物半导体材料的集成异质结构及其制造方法