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公开/公告号CN112176397A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 云南鑫耀半导体材料有限公司;
申请/专利号CN202011139757.0
发明设计人 陈娅君;刘汉保;普世坤;柳廷龙;叶晓达;柳廷芳;黄平;吕春富;张春珊;王顺金;陈维迪;
申请日2020-10-22
分类号C30B11/00(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构53114 昆明祥和知识产权代理有限公司;
代理人董昆生
地址 650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
入库时间 2023-06-19 09:27:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-13
授权
发明专利权授予
机译: 用VGF法控制蒸气压以确保生长的GaAs单晶上的单晶的方法
机译: 用V-VIS法或VGF法生长GaAs单晶的管的结构
机译: VGF法生长GaAs单晶的放大器倾斜法
机译:SR法调查SR法生长的无机硫酸钾单晶及其对非线性光学应用的表征
机译:一种用于生长硅的单晶的Czochralski法坩埚IZOTOPNOOBOGASCHENNOGO
机译:通过共溶剂法生长的大型PbI2单晶在可见光光电探测器中的应用
机译:通量蒸发法生长有机半导体单晶及其应用
机译:通过VGF工艺生长的半导体晶体中位错生成的晶体学有限元建模。
机译:编码VGF的基因的结构VGF是PC12细胞中神经生长因子快速选择性诱导的神经系统特异性mRNA。
机译:EFG法生长的蓝宝石单晶纤维的制备,性质和应用
机译:用于saW(表面声波)器件和电光应用的器件质量单晶pb-K-Niobate单晶(pKN)的生长