刻蚀机和改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种刻蚀机改善刻蚀机不同刻蚀区工作环境差异的方法。其中，方法包括以下步骤：预先判断刻蚀机的后续工作是否为部分工作模式；确定刻蚀机的后续工作为部分工作模式时，目标晶片放置于部分刻蚀区中；放置有目标晶片的刻蚀区为目标刻蚀区，未放置有目标晶片的刻蚀区为闲置刻蚀区；选取模拟晶片放置于闲置刻蚀区中；在部分工作模式下，使得对目标刻蚀区的目标晶片，与，对闲置刻蚀区中的模拟晶片同步进行一致的刻蚀操作。刻蚀机用于执行该方法。本申请可以解决相关技术中，刻蚀机不同刻蚀区在不同工作情形，产生工作环境差异的问题。