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公开/公告号CN112185445A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN202011047144.4
发明设计人 蔡浩;周永亮;李鑫;刘波;
申请日2020-09-28
分类号G11C11/413(20060101);G11C11/416(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人沈廉
地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
入库时间 2023-06-19 09:27:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
授权
发明专利权授予
机译: 利用混合氧化能力抑制漏电流的晶体管的栅介电层形成方法
机译: 使用磁隧道结的随机存储器电路的装置,方法和系统
机译:利用磁隧道结和金属氧化物半导体混合结构的紧凑型非易失性四输入逻辑元件设计
机译:在纳米级观察到的经过处理的MOS非易失性存储器件的隧道SiO_2层中的陷获电荷和应力感应泄漏电流(SILC)
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:浮栅积分技术研究应力为70 / spl Aring /隧道氧化物的非易失性存储单元的漏电流和电荷损失
机译:6氢碳化硅非易失性随机存储器的研制。
机译:四层石墨烯纳米片与不对称Al2O3 / HfO2隧道氧化物的2.85-nm Si纳米颗粒相比具有增强的非易失性存储特性
机译:脉冲应力对非易失性存储器用mOs电容器漏电流的影响
机译:使用混合谐振隧道二极管 - 巨磁电阻电路的非易失性可重编程逻辑元件;杂志文章