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公开/公告号CN112159115A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 池秀珠;
申请/专利号CN202011043628.1
发明设计人 池秀珠;
申请日2020-09-28
分类号C03C17/32(20060101);H01B1/20(20060101);H01B1/24(20060101);H01B13/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 312300 浙江省绍兴市上虞市人民西路269号
入库时间 2023-06-19 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-15
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C03C17/32 专利申请号:2020110436281 申请公布日:20210101
发明专利申请公布后的撤回
机译: 高质子导电性交联磺基磺酸聚合物电解质复合膜及其制备方法
机译:机构审查“纳米金属-聚合物复合导电膜及其制备方法”的专利申请批准请求
机译:一种简单有效的石墨烯/ CNT混合透明导电膜的制备方法
机译:基于细菌纤维素/聚苯胺纳米复合膜的新型质子导电膜用胍基离子液体浸渍
机译:聚基乙烯基咔唑封装磁铁矿复合膜的磁性和导电性特征
机译:PVDF-石墨烯导电复合膜和PVA-石墨烯导电复合膜的制备和应用
机译:微纤维化纤维素对生物基复合材料环氧腰果酚的光固化
机译:高导电聚(吡咯)复合膜的新制备方法
机译:含有金(III)离子的导电聚酰亚胺膜,组合物和制备方法