一种基于多尺度磁性隧道结的多比特忆阻器

摘要

本发明公开了一种基于多尺度磁性隧道结的多比特忆阻器，该忆阻器由多个尺寸不同的MTJ器件通过必要的读写控制电路并联连接而成；其中MTJ用于电阻值的非易失存储，而读写控制电路用于对多比特忆阻器的MTJ的状态进行改写和读取；读写控制电路一端连接写电流线，每一个写电流线分别负责忆阻器的某一个MTJ高、低阻态的翻转控制；读写控制电路另一端连接的读写字线、位线,控制忆阻器的读电路、写电路的导通；读写控制电路同时与模拟输入端和模拟输出端相连，用于获取外界输入信号和提供多比特忆阻器输出信号。本发明具有多比特状态存储、重复性好、易集成、适合存算集成一体化应用等优点。