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一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法,其中,所述碳化硅晶片的多线切割系统,包括:固定平台;切割平台,与所述固定平台连接,所述切割平台用于将碳化硅晶体切割成碳化硅晶片;张力调控机构,通过钢线网与所述切割平台连接,所述张力调控机构用于调节所述钢线网的张力;切削液喷嘴,连接在所述固定平台上,所述切削液喷嘴用于将切削液喷洒到所述切割平台上;循环监控池,与所述切割平台连接;冷却系统,与所述切割平台和所述循环监控池连接。本发明能够提高晶片质量,有利于统一碳化硅晶片的面型。

著录项

  • 公开/公告号CN112140375A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中电化合物半导体有限公司;

    申请/专利号CN202011043570.0

  • 发明设计人 张德;刘鑫博;孟国天;

    申请日2020-09-28

  • 分类号B28D5/04(20060101);B28D7/02(20060101);B28D7/00(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人林凡燕

  • 地址 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B28D 5/04 专利申请号:2020110435700 申请公布日:20201229

    发明专利申请公布后的驳回

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