NAND闪存设备中的非破坏性模式高速缓存编程

摘要

提供了一种在三层单元(TLC)模式下对NAND闪存进行高速缓存编程的方法。该方法包括：当编程并验证了第一组逻辑状态时，从多个页缓冲器中的数据锁存器的第一集合中丢弃第一编程数据的上部页。多个页缓冲器包括数据锁存器的第一集合、第二集合和第三集合，其被配置为分别存储编程数据的上部页、中间页和下部页。该方法还包括：将第二编程数据的下部页上载到高速缓存锁存器的集合；在丢弃第一编程数据的下部页之后，从高速缓存锁存器的集合向数据锁存器的第三集合传递第二编程数据的下部页；以及将第二编程数据的中间页上载到高速缓存锁存器的集合。