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公开/公告号CN112133720A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 林和;
申请/专利号CN202011015472.6
发明设计人 林和;
申请日2020-09-24
分类号H01L27/18(20060101);
代理机构11399 北京冠和权律师事务所;
代理人赵真
地址 北京市海淀区花园路甲一号11021室
入库时间 2023-06-19 09:19:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-12
授权
发明专利权授予
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 新型超晶格材料和超晶格前体及其制造和使用方法
机译:在氧气进化催化中恢复E_G〜1电子状态:氧化 - 状态调制的超晶格作为一种新型异质结构,用于最大化催化
机译:一种新型的AB_4型单相超晶格化合物,用于电化学储氢
机译:光学晶格中的超冷碱原子:一种新型的量子晶体?
机译:一种新型的超晶格:半导体-原子-超晶格
机译:晶体超晶格((TiSe2)(l)(NbSe(2))(m))(n)的合成和表征:一种使用多层反应物的新型薄膜生长技术。
机译:纳米晶体超晶格压力传感器:一种新型单轴压缩下的分子束研究方法
机译:不可压缩的激子超流体中的超冷Bose原子 光学晶格:单组分Bose-Hubbard中的一种新型超流体相 模型
机译:铁磁/超导超晶格中的磁性分布。