新型多维多功能超晶格超大规模集成电路

摘要

本发明提供了一种新型多维多功能超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过度层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建高性能超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建高性能超晶格集成电路，设计成新型多维多功能超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。