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倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法

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一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法刻蚀在沟槽内的硅衬底上形成倒V形的硅缓冲层；步骤4：分别用piranha、SC

著录项

公开/公告号CN102243994B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-02-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201110206340.6
发明设计人周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩;
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申请日2011-07-22
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:13:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-02-06

授权

授权
2012-02-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20110722

实质审查的生效
2011-11-16

公开

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