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用于形成具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件的方法

摘要

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中,公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁从外侧到内侧按下述顺序形成各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层。形成各自设置在连续隧穿层的在梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。

著录项

  • 公开/公告号CN112106199A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202080001475.6

  • 申请日2020-07-08

  • 分类号H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘健;张殿慧

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

  • 入库时间 2023-06-19 09:13:40

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