公开/公告号CN112053968A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202010876479.0
申请日2020-08-27
分类号H01L21/66(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 09:09:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-08
授权
发明专利权授予
机译: 一种用于制造gan半导体器件的方法,该方法能够在降低漏电流的同时增加击穿电压
机译: 一种制造半导体器件以防止因MO污和泄漏电流增加而降低特性的方法
机译: 低泄漏电流LED的形成方法和降低III-V族复合半导体器件的泄漏电流的方法