SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法

摘要

本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。