基于碳化硅衬底的垂直氮化铝肖特基二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅衬底的垂直氮化铝肖特基二极管，主要解决现有水平氮化铝肖特基二极管击穿电压和额定功率低的问题。其自下而上包括欧姆电极(1)、衬底(2)、氮化铝外延层(3)、肖特基电极(4)。其中衬底(2)采用n型高掺碳化硅，其掺杂浓度为1017‑1020cm‑3；氮化铝外延层(3)为单层n型氮化铝层，其掺杂浓度为1015‑1017cm‑3，且两侧设有阻碍载流子迁移的高阻区。本发明抑制了反向漏电，提高器件的击穿电压。可用作高频电路、超高速开关电路和用作耐高压功率器件。