一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘体上硅材料(SOI)并结合硅硅直接键合技术制造，Z轴为其敏感方向，包括刻有凹槽的单晶硅衬底，悬空可动的下极板，氮化硅介质层，密封腔体，上极板，金属层。初始状态下，敏感结构的腔体内部与外界存在气压差，上极板与下极板上的介质层处于接触状态；当外界加速度作用于敏感结构上时，两极板的接触面积发生变化，由于下极板是悬空可动的，上下极板形成联动效果，通过压焊点与外部电路连接成电容检测电路，将加速度信号转换成电容信号输出。这种联动接触电容式加速度敏感芯片具有线性度好、线性量程范围大、过载能力强、交叉耦合系数小、可靠性高、温度漂移小等优点。