具有周期性高电压偏压的等离子体增强CVD

摘要

实施方式包括一种处理基板的方法。在一实施方式中，所述方法包括使一种或多种源气体流入处理腔室中，以及用在第一模式下操作的等离子体源从源气体诱发等离子体。在一实施方式中，所述方法可进一步包括用在第二模式下操作的DC电源来偏压基板。在一实施方式中，所述方法可进一步包括将膜沉积在基板上。