公开/公告号CN111969051A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;
申请/专利号CN202010888687.2
申请日2020-08-28
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:59:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-24
授权
发明专利权授予
机译: 沟道栅耗尽型VDMOS器件及其制造方法
机译: 具有浮栅,控制栅,选择栅和在浮栅上具有突出端的擦除栅的分离栅非易失性闪存单元,阵列和制造方法
机译: 用于CMOS器件的具有PVD非晶硅和硅化物的金属栅极及其制造方法,具有替代栅极工艺