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利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列

摘要

本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明,在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中,在涂敷微晶i层之前,利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此,薄层太阳能电池的效率绝对地被提高了直至0.8%。

著录项

  • 公开/公告号CN101088171B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 于利奇研究中心有限公司;

    申请/专利号CN200580044170.9

  • 申请日2005-12-13

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘春元

  • 地址 德国于利奇

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20130320 终止日期:20151213 申请日:20051213

    专利权的终止

  • 2013-03-20

    授权

    授权

  • 2010-08-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/18 公开日:20071212 申请日:20051213

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2008-02-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-12

    公开

    公开

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